中國(guó)能制造出高(gāo)端光(guāng)刻機(jī)，國(guó)産半導體(tǐ)設備廠(chǎng)商迎新機(jī)遇！
近(jìn)日(rì)，相(xiàng)關媒體(tǐ)消息稱，上(shàng)海(hǎi)微(wēi)電(diàn)子(zǐ)正極力研發28納米浸潤式DUV光(guāng)刻機(jī)，預計(jì)在2023年(nián)底将交付國(guó)産第一台SSA/800-10W光(guāng)刻機(jī)設備。此前，國(guó)家(jiā)知識産權局公布了一項華為(wèi)新的(de)專利。反射鏡、光(guāng)刻設備及其控制方法在極紫外(wài)光(guāng)刻及核心技(jì)術上(shàng)取得突破性進展。
4月(yuè)，哈工(gōng)大宣布實現(xiàn)了“電(diàn)能轉化(huà)等離子(zǐ)體(tǐ)線路(lù)”,實現(xiàn)了DPP-EUV光(guāng)源。7月(yuè)23日(rì)起，日(rì)本針對(duì)尖端半導體(tǐ)制造設備出口的(de)限制措施正式生(shēng)效。共有(yǒu)6大類23種設備被納入出口限制，覆蓋了芯片光(guāng)刻、刻蝕、檢測各個(gè)環節。7月(yuè)14日(rì)，彭博社消息，荷蘭光(guāng)刻機(jī)巨頭阿斯麥公司（ASML）與中國(guó)客戶的(de)合作(zuò)将面臨美(měi)荷更嚴格的(de)管制。 新規要求從(cóng)9月(yuè)1日(rì)開(kāi)始。7月(yuè)5日(rì)，由日(rì)本政府支持的(de)日(rì)本産業(yè)革新投資機(jī)構（JIC）同意以約9093億日(rì)元（折合約64億美(měi)元）收購全球市(shì)場(chǎng)份額第一的(de)日(rì)本光(guāng)刻膠巨頭JSR。據中國(guó)的(de)專利記錄顯示，清華大學（中國(guó)的(de)“麻省理(lǐ)工(gōng)學院”）、南京大學、中國(guó)科(kē)學院以及總部位于安徽合肥的(de)Specreation公司，都(dōu)在過去(qù)一年(nián)內(nèi)申請了EUV光(guāng)源技(jì)術的(de)專利。據海(hǎi)關數據，截至2023年(nián)5月(yuè)，我國(guó)已成功減少了455億顆芯片的(de)進口數量。基于這(zhè)一規模，預計(jì)今年(nián)我國(guó)将進一步減少超過1000億顆芯片的(de)進口量。